我国5G基站已超13万个 80%应用于物联网

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可看出，联网type3和type4的光响应度分别是type2的5.53和1.94倍，这是由于在同质结内建电场区电子空穴对更容易产生造成的。图1g-1j分别为阵列化同质结的SEM、国万高分辨SEM、AFM高度图以及3D形貌图，证明了通过此种方法实现了均匀的阵列化的同质结。同质结的结构不仅提高了光响应度，基站而且提高了光响应速度。

而串联式同质结的响应时间大大降低，已超应用于物其上沿/下沿时间可从9.655/6.93s降低至0.02/0.025s。随着入射光功率降低，联网光响应度逐渐升高，响应时间逐渐减小，如图3e和3f。

MoS2是最具代表性的过渡金属二卤化物(TMD)材料，国万当其由块体减薄至单层时，其带隙会由1.29eV变到1.9eV，且由间接带隙变为直接带隙。

图2f中，基站type3和type4的上沿/下沿时间都低于type2的。对微片进行包衣不仅可以矫味，已超应用于物还可通过调节包衣工艺参数获得缓控释效果

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